“近红外光”(简称NIR) 是介于可见光和中红外光之间的电磁波[SMM1] ,因此人眼无法察觉它。近红外优化工业相机广泛适用于需要此波长范围的环境,即光照条件较差的应用,例如交通监控等。一直以来,以上应用都依赖价格昂贵的CCD芯片才能实现。
如今,最新的CMOS技术可在超过850 nm的近红外范围提升感光芯片的灵敏度。其方法是在可见光谱区应用了一层较厚的衬底层(相对于单色感光芯片而言)。通过引入近红外灵敏度较佳的工业相机产品,使得该类产品变得物美价廉,也同时增加了这类工业相机在机器视觉市场中的份额。
配备CMOSIS 200万像素 (CMV2000) 和 400万像素 (CMV4000) 芯片,或e2V 130万像素 (EV76C661) 芯片的近红优化外相机,在850 nm的范围仍能保持近40%的量子效率。与非近红外优化相机相比,近红外优化相机在该波长上的灵敏度系数要高出一倍。