“近红外光”(简称NIR) 是介于可见光和中红外光之间的电磁波[SMM1] ，因此人眼无法察觉它。近红外优化工业相机广泛适用于需要此波长范围的环境，即光照条件较差的应用，例如交通监控等。一直以来，以上应用都依赖价格昂贵的CCD芯片才能实现。

如今，最新的CMOS技术可在超过850 nm的近红外范围提升感光芯片的灵敏度。其方法是在可见光谱区应用了一层较厚的衬底层（相对于单色感光芯片而言）。通过引入近红外灵敏度较佳的工业相机产品，使得该类产品变得物美价廉，也同时增加了这类工业相机在机器视觉市场中的份额。

配备CMOSIS 200万像素 (CMV2000) 和 400万像素 (CMV4000) 芯片，或e2V 130万像素 (EV76C661) 芯片的近红优化外相机，在850 nm的范围仍能保持近40%的量子效率。与非近红外优化相机相比，近红外优化相机在该波长上的灵敏度系数要高出一倍。

有些[YY1] 应用领域和监测解决方案需要用到近红外相机，因为其具备广阔的波长范围，并且在正常光线条件下能获得高对比度图像。一般的工业相机在上述特定条件下无法胜任， 因为它们需要在良好的光线条件下才能捕捉到优质的图像。然而，创造良好光线条件需要投入大量的资金，其难度也不容忽视。这也直接造成系统成本增加，降低整体性价比。因此，近红外优化相机为监测类的用户简化和解决了难题。

典型的应用案例包括：需要在较差光线环境中或在夜晚工作的交通监控设施、使用位置传感光谱学对蔬果进行坏点检测，以及通过电致发光检测太阳能硅片。